-
Device Physics for Metal ALD · W2 — 두 물질을 붙이면 밴드가 휜다 (3) 쇼트키 장벽과 오믹 컨택
같은 금속과 같은 반도체인데 왜 어떤 것은 다이오드가 되고 어떤 것은 저항이 되는가. 세 가지 전송 방식과 컨택 비저항을 정리하고, 컨택의 레버가 왜 금속이 아니라 도핑인지를 본다.
-
Device Physics for Metal ALD · W2 — 두 물질을 붙이면 밴드가 휜다 (2) pn 접합
밴드 벤딩의 교과서적 사례인 pn 접합을 본다. 내장 전위의 세 가지 얼굴, 도핑이 정하는 공핍폭, 그리고 공핍층을 커패시터로 읽는 C-V 프로파일링까지 정리한다.
-
Device Physics for Metal ALD · W2 — 두 물질을 붙이면 밴드가 휜다 (1) 접촉과 밴드 벤딩
일함수가 다른 두 물질을 붙였을 때 전자가 어디로 흐르고, 어느 쪽이 어떤 부호로 대전되며, 왜 진공 준위가 계단 모양으로 점프하는지를 정리한다.
-
Device Physics for Metal ALD · W1 — 전자는 어디에 있고, 얼마나 있고, 얼마나 잘 움직이는가
에너지 밴드, 페르미 준위, 일함수(EWF), 그리고 금속 박막의 저항. Metal ALD 공정 개발자 관점에서 소자 물리의 기초를 세운다.
-
HAR structure에서의 ALD step coverage - Process parameter와 mechanism
260702 `ALD Step Coverage - Process parameter & Mechanism`